| 注意 |
- 使用一般LED實際測試的結果，需排除待測物受熱及環境的影響
- S/N比較差時需使用電源(60Hz)濾波功能
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| 備註 |
- 使用標準件校正LOP讀值並隨波長修正
- λd/Purity/CCT由x,y計算,請參閱x,y的準確度與跳動範圍
- 選用尖峰型光譜的LED進行測試,平頂型的光譜波形會造成λp讀值範圍大
- 經過正確的光譜校正後,UV波段校正需使用UV標準燈源
- ZCLED-4FR20\N尺寸: 48.5*53*24cm
- 待測物為單色LED且經正確的標準件校驗後, λd讀值僅限可見光波長
- 本測試項目 支援可同時測試4晶粒
- 建議材料使用在約20V以上的材料小於20V在接觸異常情況可能容易造成融針
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簡易測試規格
| 測試項目 |
測試條件 |
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測試值 |
| 輸出 |
電壓檔位 |
檔位範圍 |
解析度 |
準確度 |
測試
時間 |
測試
結果 |
檔位範圍 |
解析度 |
重複性 |
準確度 |
備註 |
| 極性 |
IF |
同VF |
分辨極性,無讀值顯示 |
| 預熱 |
IF |
同VF (時間參照VF對照) |
電流加熱,無讀值顯示 |
| VF |
IF |
40v |
0.0010~0.4000mA |
0.0001mA |
±(1%+0.0002mA) |
99mS |
VF |
0.001~10.000V |
0.001V |
±0.02V |
±(0.25%+0.04V) |
7 |
| 0.401~4.000mA |
0.001mA |
±(1%+0.002mA) |
| 4.01~40.00mA |
0.01mA |
±(1%+0.02mA) |
10.01~40.00V |
0.01V |
±0.02V |
±(0.25%+0.04V) |
| 40.1~400.0mA |
0.1mA |
±(1%+0.2mA) |
| DVF |
IF |
同VF |
DVF |
同VF |
| VFD |
IFD |
0 ->100uA |
大約值 |
VFD |
0.001~8.000V |
0.01V |
±0.02V |
大約值 |
7 |
| 0 ->25mA |
| VZ |
IZ |
200V |
0.01~40.00uA |
0.01uA |
±(1%+0.02uA) |
99mS |
VZ |
0.1~200.0V |
0.1V |
±0.2V |
±(0.5%+0.2V) |
7 |
| 40.1~400.0uA |
0.1uA |
±(1%+0.2uA) |
| 401~1000uA |
1uA |
±(1%+2uA) |
| IR |
VR |
400uA |
0.1~200.0V |
0.1V |
±(0.5%+0.2V) |
99mS |
IR |
0.000~4.000uA |
0.001uA |
±0.005uA |
±(1%+0.002uA) |
7 |
| 4.01~40.00uA |
0.01uA |
±0.05uA |
±(1%+0.02uA) |
| 40.1~400.0uA |
0.1uA |
±0.5uA |
±(1%+0.2uA) |
LOP
(Iv或Ie
或光通量) |
IF |
同VF
(UV波段的材料需使用無視效函數偵測器如UV-100) |
LOP
(Iv或Ie
或光通量) |
0.000~4.000 |
0.001 |
±1% |
±2% |
1 |
| 4.01~40.00 |
0.01 |
| 40.1~400.0 |
0.1 |
| 使用gain/offset校正Iv或Ie或光通量為實際讀值 |
| 光譜 |
IF |
同VF,CCD為2048pixel ,積分時 間最小可到0.2mS |
λd |
380.0~700.0nm |
0.1nm |
±0.3nm |
±0.5nm |
2,3,4 |
| λc |
370.0~720.0nm |
0.1nm |
±0.3nm |
±0.5nm |
4 |
| λp |
380.0~1000.0nm |
0.1nm |
±0.3nm |
±0.5nm |
3,4 |
| HW |
3.0~600.0nm |
0.1nm |
±0.3nm |
±0.5nm |
4 |
| Purity |
0.000~1.000 |
0.001 |
±0.001 |
±0.002 |
2,4 |
| CIE x,y |
0.0000~1.0000 |
0.0001 |
±0.0005 |
±0.001 |
4 |
| CCT |
1000~25000°K |
1°K |
±50°K |
±100°K |
2,4 |
|
| |
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